技术研发与设备开发
以平价上网为目标
使用该技术转换效率已达
持续降低终端使用成本
220oC度以下的低温中进行
HDT太阳能电池技术优势
◎ 低温制程：低温工艺流程，最高不超过220oC，制程能耗少；
◎ 异质结发射极：宽带隙致高短路电流-Isc及高开压Voc，使用此技术的电池片转换效率的世界纪录已达到26.33%；
◎ 低温度系数：电池片功率温度系数低于-0.268%/oC，更适于高温环境发电；
◎ 可柔性化应用：电池片的结构适合于使用超薄的硅片作为衬底，未来可实现真正的柔性化；
◎ 双面发电：电池片双面吸光，适于制作双玻组件，可增加发电量超过10%以上。
HDT电池硅薄膜工艺研发
◎ HDT电池结构共包含四层硅薄膜，其中P型和N型硅掺杂层分别作为电池的发射极和背电极场构建起电池内部电场，其厚度在5nm左右。在单晶硅片的正反面的本征硅层主要作用是钝化单晶硅表（注：单晶硅表面由于晶体长程有序结构破坏，产生大量界面缺陷），增加少子寿命，减少少子在界面处的复合。
◎ HDT电池中的本征硅层其厚度在10nm以下，一般在5nm左右，而在传统的硅薄膜电池中，本征硅是作为电池的光吸收层，厚度一般在200nm～300nm之间，两者差别在50倍左右。因此，在硅薄膜电池中的光致衰退效应在HDT太阳能电池中不用考虑。
HDT电池效率提升路径
◎ 降低光学损失（减少制绒面的反射／减少导电氧化物及非晶硅的吸收／提高栅线电极的高宽比）；
◎ 减少表面少子复合速率（优化硅片的清洗工艺／硅片表面的氢原子钝化／高质量的非晶硅薄膜的制备）；
◎ 减少串联电阻（提高导电氧化物的导电性／减少不同层之间的接触电阻）
独特的硅表面处理技术
◎ 使用不含IPA的制绒添加剂，提高了制绒的稳定性，延长了溶液的使用寿命；
◎ 去除损伤层的处理，完全消除硅片表面的机械损伤，并有效控制金字塔的尺寸及尺寸分布；
◎ 开发了独特的清洗工艺流程，保证了钝化前硅片表面的洁净度；
◎ 自主研发了绒面的削尖处理方法，有利于硅薄膜在绒面上的均匀覆盖。
高电导金属成栅工艺
◎ 钧石能源引入半导体集成电路技术概念，采用特殊设备完成高电导金属栅线制成，并为客户提供最优工艺，达到设备及运营成本远低于低温银浆工艺。
◎ 钧石能源高电导率材料是银浆电导率的10倍，形成的金属栅线易于焊接，线宽可控制在40μm以下。
自主研发稳定高效的PECVD设备
◎ 钧石能源拥有自主知识产权的高端PECVD设备，运行稳定、产能高、连续批量化生产重复性好。
◎ PECVD设备采用独特的RF电极设计，辉光电极间隙可调，低功率起辉稳定，载板温度均匀性好，沉积的薄膜厚度均匀。
◎ 工艺窗口宽，低功率薄膜钝化后的晶体硅，其少子寿命可接近其本征寿命。
自主研发成熟稳定的高产出PVD设备
◎ 钧石能源自主开发的旋转靶PVD双面沉积设备，靶材利用率提高至80%，维护时间减少40%，采用独特的阴极靶座设计，溅射工艺稳定性高重复性好。设备稼动率高达90%以上，每小时产量为3000片。
◎ 预热腔室和沉积腔室配有原位加热元件，TCO薄膜沉积温度可至200 oC，沉积的薄膜厚度均匀性控制在5%内。
技术领先策略
锁定有市场生命力的创新技术，以独创工艺专注新型高效电池；
凝聚有全球影响力的技术团队，世界太阳能领域权威专家领衔；
中国泉州和日本分设研发中心，汇聚全球顶级资本以持续投入；
构建有技术含金量的专利体系，自主知识产权专利超过150项。
低成本原则
瞄准终端使用
以持续降低成本为目标
高品质为前提
以技术开启平价上网时代
以技术赢未来
在当今光伏应用市场前景越来越光明的大好时代背景下，只有拥有技术创新优势的企业才能真正问鼎天下，才能在世界范围内站在行业的最高峰。
